ثبت بازخورد

لطفا میزان رضایت خود را از دیجیاتو انتخاب کنید.

Very satisfied Satisfied Neutral Dissatisfied Very dissatisfied
واقعا راضی‌ام
اصلا راضی نیستم
چطور میتوانیم تجربه بهتری برای شما بسازیم؟

نظر شما با موفقیت ثبت شد.

از اینکه ما را در توسعه بهتر و هدفمند‌تر دیجیاتو همراهی می‌کنید
از شما سپاسگزاریم.

تکنولوژی

ترانزیستورهایی با ضخامتی معادل 3 اتم، نوید دستگاه های الکترونیکی فوق باریک را می دهند

محققین دانشگاه کُرنل، تکنولوژی خارق العاده ای به نمایش گذاشتند که می تواند ابزارهای الکترونیکی آینده را بسیار کارآمدتر از گذشته کند. فلزات گروه واسطه (M) در جدول تناوبی، با کالکوژنیدها (X) ترکیبی تشکیل می ...

محسن وفانژاد
محسن وفانژاد منتشر شده در ۱۰ اردیبهشت ۱۳۹۴  |  ۱۱:۳۰

در دیجیاتو ثبت‌نام کنید

جهت بهره‌مندی و دسترسی به امکانات ویژه و بخش‌های مختلف در دیجیاتو عضو ویژه دیجیاتو شوید.

عضویت در دیجیاتو

محققین دانشگاه کُرنل، تکنولوژی خارق العاده ای به نمایش گذاشتند که می تواند ابزارهای الکترونیکی آینده را بسیار کارآمدتر از گذشته کند. فلزات گروه واسطه (M) در جدول تناوبی، با کالکوژنیدها (X) ترکیبی تشکیل می دهند (MX2) که به اختصار TMD خطاب می شود.

TMD می تواند به عنوان قطعه ای الکترونیکی فوق العاده باریک مورد استفاده قرار بگیرد که در هر چیزی از سلول های خورشیدی گرفته تا نمایشگرهای خمیده کاربرد دارد اما تولید آن در مقیاس گسترده به قدری دشوار است که شرکت های بزرگ ترجیح می دهند فعلا از این تکنولوژی استفاده نکنند. اما به نظر می رسد ابداع جدید محققین دانشگاه کُرنل این مسئله را برطرف کرده باشد.

در ادامه با دیجیاتو همراه باشید.

ساین ژی، یکی از نویسندگان و محققین پروژه می نویسد: "پژوهش ما، TMD را وارد مقیاس مورد استفاده در تکنولوژی می کند و اجازه می دهد که در این مقیاس، دستگاه ها ساخته شوند."

ماده ساخته شده در آزمایشگاه های دانشگاه کرنل، تنها به اندازه 3 اتم ضخامت دارد. آن ها دی اتیل سولفید را با هگزاکربونیل روی یک ورقه سیلیکونی وارد واکنش کرده و ورقه را به مدت 26 ساعت در محفظه گاز هیدروژن قرار می دهند.

در حدود 200 ورقه سیلیکونی طی این پروسه ساخته شده که تنها دو مورد از آن ها با شکست مواجه شد؛ یعنی دقت آزمایش 99 درصد بوده است. با در نظر گرفتن این آمار، انتظار می رود که محققین پروژه را جدی گرفته و تا چند سال آینده شاهد دستگاه هایی باشیم که واقعا به اندازه چند ورق کاغذ ضخامت دارند.

برای درک بهتر TMD می توانید ویدیوی زیر را تماشا کنید (این ویدیو ارتباطی با پژوهش فوق ندارد و راهکارهای قدیمی را به نمایش می گذارد).

دیدگاه‌ها و نظرات خود را بنویسید
نظرات ثبت شده (8 مورد)
  • بهداد

    برای میکرو روباتها بسیار کاربردی هست این روش

  • شادی

    کوچیکتر شدن ابعاد ترانزیستور یعنی نشتی جریان..برای مقابله باهاش هم باید از نانو لوله های کربنی(صفحات گرافیت)، یا C۶۰ استفاده بشه.

    من آینده رو متعلق به آلوتروپ‌های کربن خصوصا گرافیت و آلیاژهای مهندسی شده می دونم.

  • amir hosein

    مشکل اینجاست که این فناوری تا بخواد تجاری سازی بشه چندین سالی باید بگذره
    از علم تا آزمایشگاه راه زیادی نیست
    ولی از ازمایشگاه تا دست مردم چند سالی است

  • محمد

    البته ترانزیستور های قدرت، کماکان ابعاد بزرگی دارن و گرمای زیادی هم تولید کنن و البته دنیای متفاوتی هم دارن.

    راستی دیجیاتو جان، تصویری که گذاشتین بیشتر تداعی کننده IC هستش تا ترانزیستور

  • محمد

    ترانزیستور...
    چند وقت پیش ی APM ترانزیستوری 800W آنتونی هولتون رو ساختم با هزینه تمام شده 250 هزار تومان، سقف خونه رو از جا میکنه....

    • بهداد

      اسپیکر چی بستی ؟

  • Mohammad Reza

    واقعا از 6-5 میلی متر کمتر زیاده روی نیست؟تا یه جایی باریک تر بودن خوبه بیش از حدش رو ارگونومی تاثیر منفی میذاره.اگر این ها تا این حد بتونن تاثیر بذارن،می تونیم امیدوار باشیم که دستگاه های 7-6 میلی متری الان می تونن باتری های خیلی بزرگتری رو داشته باشن و دیگه به عمر باتری 1 روز در استفاده متوسط نگیم "خوب"

    • احمدM2

      بهتر نیست جور دیگه بهش نگاه کنید؟؟
      -مگه تنها هدف پیشرفت تکنولوژی ساخت گجت و تلفن همراهه؟؟
      -با این روش میشه تبلت هایی بزرگ ساخت که به خاطر ضخامت کمشون بشه تا یا لوله بشن
      -تو این ابعاد مصرف انرژی بشدت کاهش پیدا میکنه
      -پیشرفت این تکنولوژی ها به اکتشافات فضایی و سفرهای فضایی کمک شایانی میکنه

مطالب پیشنهادی